雜志簡介：《半導(dǎo)體》雜志經(jīng)新聞出版總署批準(zhǔn)，自1976年創(chuàng)刊，國內(nèi)刊號為12-1134/TN，是一本綜合性較強(qiáng)的電子期刊。該刊是一份季刊，致力于發(fā)表電子領(lǐng)域的高質(zhì)量原創(chuàng)研究成果、綜述及快報。主要欄目：研究報告、文獻(xiàn)綜述、簡報、專題研究
《半導(dǎo)體》自1976年創(chuàng)刊，國內(nèi)刊號為12-1134/TN，本刊積極探索、勇于創(chuàng)新，欄目設(shè)置及內(nèi)容節(jié)奏經(jīng)過編排與改進(jìn)，受到越來越多的讀者喜愛。
《半導(dǎo)體》雜志學(xué)者發(fā)表主要的研究主題主要有以下內(nèi)容：
（一）半導(dǎo)體；SI納米線；太陽電池；光致發(fā)光；自組織生長
（二）壓力傳感器；傳感器；四探針；單片機(jī)；溫度補(bǔ)償
（三）跳頻通信；混沌序列；Z2000；頻率合成器；混沌跳頻序列
（四）CMOS；電路設(shè)計；集成電路；濾波器；模擬乘法器
（五）砷化鎵；GAAS；太陽電池；磷化銦；半絕緣
（六）CMOS；濾波器；MOS；開關(guān)電流電路；開關(guān)電流
（七）共振隧穿二極管；RTD；負(fù)阻器件；共振隧穿器件；負(fù)阻
（八）CMOS；鎖相環(huán)；開關(guān)電流；開關(guān)電流電路；時鐘恢復(fù)
（九）晶閘管；場效應(yīng)晶體管；氣敏傳感器；壓力傳感器；SNO
（十）HFET；電流崩塌；GAN；勢壘；溝道
1、實(shí)行嚴(yán)格的同行專家審稿制度和三審三校制度，依據(jù)稿件學(xué)術(shù)質(zhì)量，公平、客觀地取舍稿件。
2、正文的標(biāo)題層次用阿拉伯?dāng)?shù)字編號，不同層次的數(shù)字之間用下圓點(diǎn)“.”相隔，如“1”，“1.1”，“1.1.2”，并一律左頂格。
3、參考文獻(xiàn)限于作者親自閱讀、本文明確引用、公開發(fā)表或有案可查。參考文獻(xiàn)全部列于文后，按正文首次引用的先后次序編號，并在正文引用處右上角注明參考文獻(xiàn)序號。
4、請在來稿正文前提供中文摘要（200字左右）、關(guān)鍵詞（3-5個），摘要應(yīng)能客觀反映論文或報告的主要內(nèi)容。
5、作者簡介在稿件首頁頁腳：姓名、工作單位全稱及職務(wù)（職稱）、所在地（省、自治區(qū)、直轄市及其下轄的市、縣）的地名、聯(lián)系電話（可放入稿件末尾）、郵政編碼。
引證文獻(xiàn)：又稱來源文獻(xiàn)，是指引用了某篇文章的文獻(xiàn)，是對本文研究工作的繼續(xù)、應(yīng)用、發(fā)展或評價。這種引用關(guān)系表明了研究的去向，經(jīng)過驗(yàn)證，引證文獻(xiàn)數(shù)等于該文獻(xiàn)的被引次數(shù)。引證文獻(xiàn)是學(xué)術(shù)論著撰寫中不可或缺的組成部分，也是衡量學(xué)術(shù)著述影響大小的重要因素。
若用戶需要出版服務(wù)，請聯(lián)系出版商，地址：天津市河西區(qū)陳塘莊巖峰路，郵編：300192。本站僅做歷史信息展示，不提供任何服務(wù)。
