《半導體光子學與技術(shù)》自1995年創(chuàng)刊,國內(nèi)刊號為50-1093/TN,本刊積極探索、勇于創(chuàng)新,欄目設(shè)置及內(nèi)容節(jié)奏經(jīng)過編排與改進,受到越來越多的讀者喜愛。
雜志簡介:《半導體光子學與技術(shù)》雜志經(jīng)新聞出版總署批準,自1995年創(chuàng)刊,國內(nèi)刊號為50-1093/TN,是一本綜合性較強的科技期刊。該刊是一份季刊,致力于發(fā)表科技領(lǐng)域的高質(zhì)量原創(chuàng)研究成果、綜述及快報。主要欄目:科技論文 研究報告 性能分析 產(chǎn)品介紹 光電技術(shù)應用 學術(shù)爭鳴
《半導體光子學與技術(shù)》自1995年創(chuàng)刊,國內(nèi)刊號為50-1093/TN,本刊積極探索、勇于創(chuàng)新,欄目設(shè)置及內(nèi)容節(jié)奏經(jīng)過編排與改進,受到越來越多的讀者喜愛。
《半導體光子學與技術(shù)》雜志學者發(fā)表主要的研究主題主要有以下內(nèi)容:
(一)-
1、注釋是對正文中某一特定內(nèi)容的詮釋和說明,用圈碼標注(如①②……),置于該頁頁腳。
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4、文中凡出現(xiàn)引用文獻處,均應采用腳注或尾注方式明確標注具體出處、作者、頁碼、出版社和出版地,引用文獻來源可信。
5、中、英文關(guān)鍵詞:一般3~5個名詞性規(guī)范術(shù)語。
引證文獻:又稱來源文獻,是指引用了某篇文章的文獻,是對本文研究工作的繼續(xù)、應用、發(fā)展或評價。這種引用關(guān)系表明了研究的去向,經(jīng)過驗證,引證文獻數(shù)等于該文獻的被引次數(shù)。引證文獻是學術(shù)論著撰寫中不可或缺的組成部分,也是衡量學術(shù)著述影響大小的重要因素。
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