雜志簡(jiǎn)介：《半導(dǎo)體技術(shù)》雜志經(jīng)新聞出版總署批準(zhǔn)，自1976年創(chuàng)刊，國(guó)內(nèi)刊號(hào)為13-1109/TN，是一本綜合性較強(qiáng)的電子期刊。該刊是一份月刊，致力于發(fā)表電子領(lǐng)域的高質(zhì)量原創(chuàng)研究成果、綜述及快報(bào)。主要欄目：趨勢(shì)與展望、半導(dǎo)體集成電路、半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體制備技術(shù)、先進(jìn)封裝技術(shù)
《半導(dǎo)體技術(shù)》經(jīng)新聞出版總署批準(zhǔn)，自1976年創(chuàng)刊，國(guó)內(nèi)刊號(hào)為13-1109/TN，本刊積極探索、勇于創(chuàng)新，欄目設(shè)置及內(nèi)容節(jié)奏經(jīng)過(guò)編排與改進(jìn)，受到越來(lái)越多的讀者喜愛(ài)。
《半導(dǎo)體技術(shù)》以嚴(yán)謹(jǐn)風(fēng)格，權(quán)威著述，在業(yè)內(nèi)深孚眾望，享譽(yù)中外，對(duì)我國(guó)半導(dǎo)體事業(yè)的發(fā)展發(fā)揮了積極的作用。
《半導(dǎo)體技術(shù)》雜志學(xué)者發(fā)表主要的研究主題主要有以下內(nèi)容：
（一）化學(xué)機(jī)械拋光；CMP；拋光液；去除速率；ULSI
（二）BICMOS；超大規(guī)模集成電路；雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體；功耗；低功耗
（三）微波單片集成電路；MMIC；砷化鎵；寬帶；單片微波集成電路
（四）肖特基二極管；氧化鎵；場(chǎng)效應(yīng)晶體管；金剛石；襯底
（五）砷化鎵；GAAS；太陽(yáng)電池；磷化銦；半絕緣
（六）砷化鎵；MMIC；微波單片集成電路；功率放大器；毫米波
（七）GAN；微波器件；SIC_MESFET；MMIC；碳化硅
（八）GAN；高電子遷移率晶體管；MEMS；HEMT；MMIC
（九）BICMOS；超大規(guī)模集成電路；功耗；開(kāi)關(guān)電源；教學(xué)改革
（十）知識(shí)生產(chǎn)；半導(dǎo)體；集成電路；技術(shù)創(chuàng)新；工業(yè)工程
1、來(lái)稿要求論點(diǎn)明確、論據(jù)可靠、文字精煉、圖表清晰、行文通順、體例規(guī)范，內(nèi)容注意保守國(guó)家機(jī)密。
2、文中如出現(xiàn)外國(guó)人名，第一次出現(xiàn)時(shí)需譯成漢語(yǔ)，用括號(hào)標(biāo)注外文原名，以后出現(xiàn)時(shí)直接用漢譯人名。
3、“一”后加“、”號(hào)，“l(fā)”后加“．”，（一）、(l)不加任何標(biāo)點(diǎn)，‘第一”、‘首先”后面均要加“，”號(hào)。
4、引用文獻(xiàn)作者不超過(guò)3人的全部著錄；超過(guò)則只列出前3人，后加“，等.”。
5、作者簡(jiǎn)介包括以下內(nèi)容：真實(shí)姓名、出生年份、性別、籍貫、職稱(chēng)、專(zhuān)業(yè)學(xué)位和研究方向。
立即指數(shù)：立即指數(shù) (Immediacy Index)是指用某一年中發(fā)表的文章在當(dāng)年被引用次數(shù)除以同年發(fā)表文章的總數(shù)得到的指數(shù)；該指數(shù)用來(lái)評(píng)價(jià)哪些科技期刊發(fā)表了大量熱點(diǎn)文章，進(jìn)而能夠衡量該期刊中發(fā)表的研究成果是否緊跟研究前沿的步伐。
引證文獻(xiàn)：又稱(chēng)來(lái)源文獻(xiàn)，是指引用了某篇文章的文獻(xiàn)，是對(duì)本文研究工作的繼續(xù)、應(yīng)用、發(fā)展或評(píng)價(jià)。這種引用關(guān)系表明了研究的去向，經(jīng)過(guò)驗(yàn)證，引證文獻(xiàn)數(shù)等于該文獻(xiàn)的被引次數(shù)。引證文獻(xiàn)是學(xué)術(shù)論著撰寫(xiě)中不可或缺的組成部分，也是衡量學(xué)術(shù)著述影響大小的重要因素。
若用戶(hù)需要出版服務(wù)，請(qǐng)聯(lián)系出版商，地址：石家莊市合作路113號(hào)，郵編：50051。
