固體電子學(xué)研究與進展雜志簡介
《固體電子學(xué)研究與進展》經(jīng)新聞出版總署批準(zhǔn)，自1981年創(chuàng)刊，國內(nèi)刊號為32-1110/TN，本刊積極探索、勇于創(chuàng)新，欄目設(shè)置及內(nèi)容節(jié)奏經(jīng)過編排與改進，受到越來越多的讀者喜愛。
《固體電子學(xué)研究與進展》辦刊宗旨是面向21世紀(jì)固體物理和微電子學(xué)領(lǐng)域的創(chuàng)新性學(xué)術(shù)研究。
《固體電子學(xué)研究與進展》雜志學(xué)者發(fā)表主要的研究主題主要有以下內(nèi)容：
（一）高電子遷移率晶體管；氮化鎵；GAN；砷化鎵；GAAS
（二）GAAS；MMIC；砷化鎵；單片；微波單片集成電路
（三）MMIC；砷化鎵；PHEMT；功率放大器；GAAS
（四）HFET；GAN；電流崩塌；勢壘；溝道
（五）CMOS；低功耗；跨導(dǎo)；電路；鎖相環(huán)
（六）氮化鎵；GAN；MOCVD；二維電子氣；高電子遷移率晶體管
（七）砷化鎵；GAAS；單片；開關(guān)；MESFET
（八）半導(dǎo)體器件；硅；雙極晶體管；集成電路；CMOS
（九）金剛石；襯底；二維電子氣；氮化鎵晶體管；鍵合
（十）微波單片集成電路；MMIC；功率MMIC；氮化鎵；功率放大器
固體電子學(xué)研究與進展收錄信息
固體電子學(xué)研究與進展雜志榮譽
固體電子學(xué)研究與進展歷史收錄
- 北大核心期刊（2020版）
- 北大核心期刊（2017版）
- 北大核心期刊（2014版）
- 北大核心期刊（2011版）
- 北大核心期刊（2008版）
- 北大核心期刊（2000版）
- 北大核心期刊（1996版）
- 北大核心期刊（1992版）
- 中國科技核心期刊
- 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-核心（2011-2012）
- 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-擴展（2017-2018）
- 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-擴展（2015-2016）
- 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-擴展（2013-2014）
- Scopus數(shù)據(jù)庫
- 日本科學(xué)技術(shù)振興機構(gòu)數(shù)據(jù)庫
- 化學(xué)文摘（網(wǎng)絡(luò)版）
固體電子學(xué)研究與進展雜志特色
1、論文摘要字數(shù)請控制在400字以內(nèi)，內(nèi)容要明確體現(xiàn)核心觀點、創(chuàng)新之處及研究方法。
2、作者單位用腳注方式（阿拉伯?dāng)?shù)字）書寫在正文第1頁最下方，寫明所有作者的工作單位、城市(或縣)和郵政編碼。第一作者必須在文末提交個人簡介。書寫格式依次為：姓名(出生年～)、性別、民族、學(xué)歷、職稱、研究方向等。
3、文章各章節(jié)或內(nèi)容層次的序號,一般依一、(一)、1、(1)等順序表示。
4、論文標(biāo)題的層級，按一、（一）、1、（1）……排列，標(biāo)題序號后不加逗號，標(biāo)題末尾不加句號。
5、注意引用近兩年國內(nèi)外的最新文獻。本刊采用順序編碼制標(biāo)注參考文獻，文獻序號按出現(xiàn)先后排序，并在文中相應(yīng)處標(biāo)出。
