雜志簡介：《人工晶體學報》雜志經(jīng)新聞出版總署批準，自1972年創(chuàng)刊，國內(nèi)刊號為11-2637/O7，是一本綜合性較強的化學期刊。該刊是一份月刊，致力于發(fā)表化學領(lǐng)域的高質(zhì)量原創(chuàng)研究成果、綜述及快報。主要欄目：研究快報、研究論文、綜合評述、封面圖片
《人工晶體學報》（月刊）創(chuàng)刊于1972年，由中材人工晶體研究院主辦。
《人工晶體學報》（本刊刊登材料科學與工程技術(shù)方面，涵蓋晶體材料：半導(dǎo)體材料、光電子材料、壓電晶體材料、納米材料、薄膜材料、超硬材料和高技術(shù)陶瓷，具有創(chuàng)新性、高水平、有重要意義的原始性研究學術(shù)論文以及反映學科最新發(fā)展狀況的文獻綜述等中英文稿件。獲獎情況：1997年獲國家科技優(yōu)秀期刊；獲部級優(yōu)秀科技期刊獎；中國期刊方陣“雙效”期刊；1987年獲優(yōu)秀編輯二等獎。
《人工晶體學報》雜志學者發(fā)表主要的研究主題主要有以下內(nèi)容：
（一）激光晶體；晶體；晶體生長；籽晶；提拉法
（二）晶體；晶體生長；非線性光學晶體；激光晶體；激光器
（三）單晶生長；單晶體；晶體生長；晶體；多晶合成
（四）單晶生長；晶體；單晶體；晶體生長；多晶合成
（五）晶體生長；晶體；水熱法；生長基元；結(jié)晶習性
（六）SIC單晶；單晶；單晶生長；籽晶；碳化硅
（七）SIC單晶；碳化硅；籽晶；單晶生長；單晶
（八）太陽電池；薄膜太陽電池；鈣鈦礦；微晶硅；硅基薄膜太陽電池
（九）晶體；單晶生長；紅外透過率；單晶體；多晶合成
（十）晶體；晶體生長；雙光子吸收；晶體結(jié)構(gòu)；單晶生長
1、參考文獻：特別注意引用近期在國內(nèi)外高水平期刊雜志中發(fā)表的前沿研究論文，不遺漏重要的相關(guān)文獻。
2、中英文摘要。應(yīng)包括研究目的、方法、結(jié)果和結(jié)論等，以300字左右為宜，并標注3～８個規(guī)范化的關(guān)鍵詞。
3、投稿時請附一簡短的第一作者簡介，內(nèi)容包括：作者姓名、性別、出生年月、學位（碩士以上者）、職稱、職務(wù)、研究方向、聯(lián)系電話（至少給出辦公電話）和E-mail地址及第一作者和通訊作者的ORCID等。
4、論文如屬基金項目成果，請在首頁地腳標注項目名稱和編號等信息。
5、正文標題序號一般按照從大到小四級標題寫作，即：“一、”“（一）”“1.”“（1）”。
立即指數(shù)：立即指數(shù) (Immediacy Index)是指用某一年中發(fā)表的文章在當年被引用次數(shù)除以同年發(fā)表文章的總數(shù)得到的指數(shù)；該指數(shù)用來評價哪些科技期刊發(fā)表了大量熱點文章，進而能夠衡量該期刊中發(fā)表的研究成果是否緊跟研究前沿的步伐。
引證文獻：又稱來源文獻，是指引用了某篇文章的文獻，是對本文研究工作的繼續(xù)、應(yīng)用、發(fā)展或評價。這種引用關(guān)系表明了研究的去向，經(jīng)過驗證，引證文獻數(shù)等于該文獻的被引次數(shù)。引證文獻是學術(shù)論著撰寫中不可或缺的組成部分，也是衡量學術(shù)著述影響大小的重要因素。
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