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Journal Of Crystal Growth

Journal Of Crystal Growth SCIE

晶體生長雜志雜志

中科院分區(qū):4區(qū) JCR分區(qū):Q3 預計審稿周期: 約2.6個月 約10周

《Journal Of Crystal Growth》是一本由Elsevier出版商出版的材料科學國際刊物,國際簡稱為J CRYST GROWTH,中文名稱晶體生長雜志。該刊創(chuàng)刊于1967年,出版周期為Biweekly。 《Journal Of Crystal Growth》2023年影響因子為1.7,被收錄于國際知名權威數(shù)據(jù)庫SCIE。

ISSN:0022-0248
研究方向:化學-晶體學
是否預警:否
E-ISSN:1873-5002
出版地區(qū):NETHERLANDS
Gold OA文章占比:16.22%
語言:Multi-Language
是否OA:未開放
OA被引用占比:0.0202...
出版商:Elsevier
出版周期:Biweekly
影響因子:1.7
創(chuàng)刊時間:1967
年發(fā)文量:306
雜志簡介 中科院分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 發(fā)文統(tǒng)計 通訊方式 相關雜志 期刊導航

Journal Of Crystal Growth 雜志簡介

《Journal Of Crystal Growth》重點專注發(fā)布化學-晶體學領域的新研究,旨在促進和傳播該領域相關的新技術和新知識。鼓勵該領域研究者詳細地發(fā)表他們的高質量實驗研究和理論結果。該雜志創(chuàng)刊至今,在化學-晶體學領域,有較高影響力,對來稿文章質量要求較高,稿件投稿過審難度較大。歡迎廣大同領域研究者投稿該雜志。

Journal Of Crystal Growth 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)
中科院SCI期刊分區(qū)(2023年12月升級版)
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
材料科學 4區(qū) CRYSTALLOGRAPHY 晶體學 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2022年12月升級版)
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
材料科學 3區(qū) CRYSTALLOGRAPHY 晶體學 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月舊的升級版)
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
材料科學 3區(qū) CRYSTALLOGRAPHY 晶體學 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 3區(qū) 3區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月基礎版)
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理 4區(qū) CRYSTALLOGRAPHY 晶體學 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月升級版)
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
材料科學 3區(qū) CRYSTALLOGRAPHY 晶體學 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 3區(qū) 3區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2020年12月舊的升級版)
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
材料科學 3區(qū) CRYSTALLOGRAPHY 晶體學 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 3區(qū) 3區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū)趨勢圖
Created with Highcharts 4.2.6大類分區(qū)中科院SCI分區(qū)2012年2013年2014年2015年2016年2017年2018年2019年2020年2021年2022年012345
影響因子趨勢圖
Created with Highcharts 4.2.6IF值(影響因子)IF值(影響因子)2015年2016年2017年2018年2019年2020年2021年2022年2023年00.511.52

中科院JCR分區(qū):中科院JCR期刊分區(qū)(又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))是中國科學院文獻情報中心世界科學前沿分析中心的科學研究成果,是衡量學術期刊影響力的一個重要指標,一般而言,發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文,通常被認為是該學科領域的比較重要的成果。

影響因子:是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項數(shù)據(jù),現(xiàn)已成為國際上通用的期刊評價指標,不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標,而且也是測度期刊的學術水平,乃至論文質量的重要指標。

Journal Of Crystal Growth 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫(2023-2024年最新版)
按JIF指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學科:CRYSTALLOGRAPHY SCIE Q3 17 / 33

50%

學科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 321 / 438

26.8%

學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 125 / 179

30.4%

按JCI指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學科:CRYSTALLOGRAPHY SCIE Q3 19 / 33

43.94%

學科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 249 / 438

43.26%

學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 104 / 179

42.18%

Journal Of Crystal Growth CiteScore 評價數(shù)據(jù)(2024年最新版)

  • CiteScore:3.6
  • SJR:0.379
  • SNIP:0.768

CiteScore 排名

學科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Physics and Astronomy 小類:Condensed Matter Physics Q2 205 / 434

52%

大類:Physics and Astronomy 小類:Inorganic Chemistry Q2 40 / 79

50%

大類:Physics and Astronomy 小類:Materials Chemistry Q3 162 / 317

49%

CiteScore趨勢圖
Created with Highcharts 4.2.6CiteScoreCiteScore2011年2012年2013年2014年2015年2016年2017年2018年2019年2020年2021年2022年2023年01234
年發(fā)文量趨勢圖

CiteScore:是由Elsevier2016年發(fā)布的一個評價學術期刊質量的指標,該指標是指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScore和影響因子的作用是一樣的,都是可以體現(xiàn)期刊質量的重要指標,給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Journal Of Crystal Growth 雜志發(fā)文統(tǒng)計

文章名稱引用次數(shù)

  • Improvement mechanism of sputtered AlN films by high-temperature annealing18
  • Heteroepitaxial growth of alpha beta gamma- and kappa-Ga2O3 phases by metalorganic vapor phase epitaxy17
  • Synthesis and single crystal growth of perovskite semiconductor CsPbBr315
  • Doping of Czochralski-grown bulk beta-Ga2O3 single crystals with Cr, Ce and Al14
  • Crystal growth and scintillation performance of Cs2HfCl6 and Cs2HfCl4Br211
  • Competitive grain growth and dendrite morphology evolution in selective laser melting of Inconel 718 superalloy10
  • Microstructure variation in thick AlInN films grown on c-plane GaN on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition10
  • Influence of aqueous Mg concentration on the transformation of amorphous calcium carbonate10
  • The effect of different amino acids on spontaneous precipitation of calcium carbonate polymorphs10
  • Epitaxial growth of undoped and Li-doped NiO thin films on alpha-Al2O3 substrates by mist chemical vapor deposition9

國家/地區(qū)發(fā)文量

  • CHINA MAINLAND389
  • Japan241
  • USA197
  • GERMANY (FED REP GER)136
  • Russia105
  • France72
  • India69
  • Taiwan33
  • Canada32
  • Poland31

Journal Of Crystal Growth 雜志社通訊方式

《Journal Of Crystal Growth》雜志通訊方式為:ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, AMSTERDAM, NETHERLANDS, 1000 AE。詳細征稿細則請查閱雜志社征稿要求。本站可提供SCI投稿輔導服務,SCI檢索,確保稿件信息安全保密,合乎學術規(guī)范,詳情請咨詢客服。

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