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Solid-state Electronics

Solid-state Electronics SCIE

固態(tài)電子雜志

中科院分區(qū):4區(qū) JCR分區(qū):Q3 預(yù)計(jì)審稿周期: 一般,3-6周 約9.2周

《Solid-state Electronics》是一本由Elsevier Ltd出版商出版的物理與天體物理國際刊物,國際簡稱為SOLID STATE ELECTRON,中文名稱固態(tài)電子。該刊創(chuàng)刊于1960年,出版周期為Monthly。 《Solid-state Electronics》2023年影響因子為1.4,被收錄于國際知名權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE。

ISSN:0038-1101
研究方向:物理-工程:電子與電氣
是否預(yù)警:否
E-ISSN:1879-2405
出版地區(qū):UNITED STATES
Gold OA文章占比:18.40%
語言:English
是否OA:未開放
OA被引用占比:0.0126...
出版商:Elsevier Ltd
出版周期:Monthly
影響因子:1.4
創(chuàng)刊時間:1960
年發(fā)文量:175
雜志簡介 中科院分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 發(fā)文統(tǒng)計(jì) 通訊方式 相關(guān)雜志 期刊導(dǎo)航

Solid-state Electronics 雜志簡介

《Solid-state Electronics》重點(diǎn)專注發(fā)布物理-工程:電子與電氣領(lǐng)域的新研究,旨在促進(jìn)和傳播該領(lǐng)域相關(guān)的新技術(shù)和新知識。鼓勵該領(lǐng)域研究者詳細(xì)地發(fā)表他們的高質(zhì)量實(shí)驗(yàn)研究和理論結(jié)果。該雜志創(chuàng)刊至今,在物理-工程:電子與電氣領(lǐng)域,有較高影響力,對來稿文章質(zhì)量要求較高,稿件投稿過審難度較大。歡迎廣大同領(lǐng)域研究者投稿該雜志。

Solid-state Electronics 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)
中科院SCI期刊分區(qū)(2023年12月升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2022年12月升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 3區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月舊的升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 3區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月基礎(chǔ)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 3區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2020年12月舊的升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū)趨勢圖
影響因子趨勢圖

中科院JCR分區(qū):中科院JCR期刊分區(qū)(又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))是中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果,是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個重要指標(biāo),一般而言,發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文,通常被認(rèn)為是該學(xué)科領(lǐng)域的比較重要的成果。

影響因子:是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報(bào)告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項(xiàng)數(shù)據(jù),現(xiàn)已成為國際上通用的期刊評價(jià)指標(biāo),不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標(biāo),而且也是測度期刊的學(xué)術(shù)水平,乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。

Solid-state Electronics 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫(2023-2024年最新版)
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 259 / 352

26.6%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 138 / 179

23.2%

學(xué)科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q4 61 / 79

23.4%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 261 / 354

26.41%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 133 / 179

25.98%

學(xué)科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q3 54 / 79

32.28%

Solid-state Electronics CiteScore 評價(jià)數(shù)據(jù)(2024年最新版)

  • CiteScore:3
  • SJR:0.348
  • SNIP:0.655

CiteScore 排名

學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q3 419 / 797

47%

大類:Engineering 小類:Condensed Matter Physics Q3 245 / 434

43%

大類:Engineering 小類:Materials Chemistry Q3 182 / 317

42%

大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q3 169 / 284

40%

CiteScore趨勢圖
年發(fā)文量趨勢圖

CiteScore:是由Elsevier2016年發(fā)布的一個評價(jià)學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的指標(biāo),該指標(biāo)是指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScore和影響因子的作用是一樣的,都是可以體現(xiàn)期刊質(zhì)量的重要指標(biāo),給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Solid-state Electronics 雜志發(fā)文統(tǒng)計(jì)

文章名稱引用次數(shù)

  • Lightweight flexible indium-free oxide TFTs with AND logic function employing chitosan biopolymer as self-supporting layer21
  • The photovoltaic impact of atomic layer deposited TiO2 interfacial layer on Si-based photodiodes12
  • Current-voltage analytical model and multiobjective optimization of design of a short channel gate-all-around-junctionless MOSFET11
  • Low-voltage electric-double-layer MoS2 transistor gated via water solution11
  • Effect of defect creation and migration on hump characteristics of a-InGaZnO thin film transistors under long-term drain bias stress with light illumination11
  • Characterization and modeling of 28-nm FDSOI CMOS technology down to cryogenic temperatures10
  • Improve the performance of CZTSSe solar cells by applying a SnS BSF layer10
  • A review on terahertz photogalvanic spectroscopy of Bi2Te3- and Sb2Te3-based three dimensional topological insulators8
  • Multi-layer WSe2 field effect transistor with improved carrier-injection contact by using oxygen plasma treatment8
  • SnO2 nanoparticles/TiO2 nanofibers heterostructures: In situ fabrication and enhanced gas sensing performance7

國家/地區(qū)發(fā)文量

  • South Korea131
  • CHINA MAINLAND104
  • France76
  • USA53
  • GERMANY (FED REP GER)36
  • India24
  • Spain21
  • England17
  • Belgium16
  • Japan16

機(jī)構(gòu)發(fā)文發(fā)文量

  • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)55
  • COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES38
  • UNIVERSITE DE SAVOIE33
  • CEA32
  • SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU)26
  • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES23
  • KYUNGPOOK NATIONAL UNIVERSITY17
  • STMICROELECTRONICS16
  • POHANG UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLOGY (POSTECH)12
  • INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM)11

Solid-state Electronics 雜志社通訊方式

《Solid-state Electronics》雜志通訊方式為:PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD, ENGLAND, OX5 1GB。詳細(xì)征稿細(xì)則請查閱雜志社征稿要求。本站可提供SCI投稿輔導(dǎo)服務(wù),SCI檢索,確保稿件信息安全保密,合乎學(xué)術(shù)規(guī)范,詳情請咨詢客服。

免責(zé)聲明

若用戶需要出版服務(wù),請聯(lián)系出版商:PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD, ENGLAND, OX5 1GB。

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