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Ieee Journal Of Solid-state Circuits

Ieee Journal Of Solid-state Circuits SCIE

IEEE固態(tài)電路雜志雜志

中科院分區(qū):1區(qū) JCR分區(qū):Q1 預(yù)計審稿周期: 一般,3-6周

《Ieee Journal Of Solid-state Circuits》是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版的工程技術(shù)國際刊物,國際簡稱為IEEE J SOLID-ST CIRC,中文名稱IEEE固態(tài)電路雜志。該刊創(chuàng)刊于1966年,出版周期為Monthly。 《Ieee Journal Of Solid-state Circuits》2023年影響因子為4.6,被收錄于國際知名權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE。

ISSN:0018-9200
研究方向:工程技術(shù)-工程:電子與電氣
是否預(yù)警:否
E-ISSN:1558-173X
出版地區(qū):UNITED STATES
Gold OA文章占比:13.89%
語言:English
是否OA:未開放
OA被引用占比:0
出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版周期:Monthly
影響因子:4.6
創(chuàng)刊時間:1966
年發(fā)文量:304
雜志簡介 中科院分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 發(fā)文統(tǒng)計 通訊方式 相關(guān)雜志 期刊導(dǎo)航

Ieee Journal Of Solid-state Circuits 雜志簡介

《Ieee Journal Of Solid-state Circuits》重點專注發(fā)布工程技術(shù)-工程:電子與電氣領(lǐng)域的新研究,旨在促進和傳播該領(lǐng)域相關(guān)的新技術(shù)和新知識。鼓勵該領(lǐng)域研究者詳細(xì)地發(fā)表他們的高質(zhì)量實驗研究和理論結(jié)果。根據(jù)網(wǎng)友分享的投稿經(jīng)驗,平均審稿速度為 一般,3-6周 。該雜志創(chuàng)刊至今,在工程技術(shù)-工程:電子與電氣領(lǐng)域,影響力非凡,對來稿文章質(zhì)量要求很高,稿件投稿過審難度很大,刊登文章的學(xué)術(shù)水平和編輯質(zhì)量在同類雜志中均名列前茅。如果你想在該雜志上發(fā)表論文,你可以向編輯部提交文章,但文章必須具有重要意義并代表該領(lǐng)域?qū)I(yè)的發(fā)展。我們歡迎廣大同領(lǐng)域的研究者提交投稿。

Ieee Journal Of Solid-state Circuits 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)
中科院SCI期刊分區(qū)(2023年12月升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 1區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 1區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2022年12月升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 1區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 1區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月舊的升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 1區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 1區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月基礎(chǔ)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 1區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 1區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2020年12月舊的升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 1區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 1區(qū)
中科院分區(qū)趨勢圖
影響因子趨勢圖

中科院JCR分區(qū):中科院JCR期刊分區(qū)(又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))是中國科學(xué)院文獻情報中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果,是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個重要指標(biāo),一般而言,發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文,通常被認(rèn)為是該學(xué)科領(lǐng)域的比較重要的成果。

影響因子:是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項數(shù)據(jù),現(xiàn)已成為國際上通用的期刊評價指標(biāo),不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標(biāo),而且也是測度期刊的學(xué)術(shù)水平,乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。

Ieee Journal Of Solid-state Circuits 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫(2023-2024年最新版)
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q1 74 / 352

79.1%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q1 66 / 354

81.5%

Ieee Journal Of Solid-state Circuits CiteScore 評價數(shù)據(jù)(2024年最新版)

  • CiteScore:11
  • SJR:2.876
  • SNIP:2.612

CiteScore 排名

學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q1 78 / 797

90%

CiteScore趨勢圖
年發(fā)文量趨勢圖

CiteScore:是由Elsevier2016年發(fā)布的一個評價學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的指標(biāo),該指標(biāo)是指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScore和影響因子的作用是一樣的,都是可以體現(xiàn)期刊質(zhì)量的重要指標(biāo),給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Ieee Journal Of Solid-state Circuits 雜志發(fā)文統(tǒng)計

文章名稱引用次數(shù)

  • A Low-Cost Scalable 32-Element 28-GHz Phased Array Transceiver for 5G Communication Links Based on a 2 x 2 Beamformer Flip-Chip Unit Cell52
  • Cryo-CMOS Circuits and Systems for Quantum Computing Applications29
  • A 28-GHz CMOS Direct Conversion Transceiver With Packaged 2 x 4 Antenna Array for 5G Cellular System29
  • A Monolithically Integrated Large-Scale Optical Phased Array in Silicon-on-Insulator CMOS25
  • A Multi-Functional In-Memory Inference Processor Using a Standard 6T SRAM Array24
  • A High Energy Efficient Reconfigurable Hybrid Neural Network Processor for Deep Learning Applications23
  • An Always-On 3.8 mu J/86% CIFAR-10 Mixed-Signal Binary CNN Processor With All Memory on Chip in 28-nm CMOS19
  • A Wideband Class-AB Power Amplifier With 29-57-GHz AM-PM Compensation in 0.9-V 28-nm Bulk CMOS19
  • A 28-/37-/39-GHz Linear Doherty Power Amplifier in Silicon for 5G Applications18
  • An Analog-Assisted Tri-Loop Digital Low-Dropout Regulator18

國家/地區(qū)發(fā)文量

  • USA450
  • CHINA MAINLAND119
  • South Korea114
  • Japan72
  • Netherlands57
  • Taiwan57
  • Belgium50
  • GERMANY (FED REP GER)40
  • Canada30
  • Italy29

機構(gòu)發(fā)文發(fā)文量

  • UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM100
  • INTEL CORPORATION49
  • DELFT UNIVERSITY OF TECHNOLOGY34
  • KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE & TECHNOLOGY (KAIST)34
  • SAMSUNG34
  • UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM33
  • UNIVERSITY SYSTEM OF GEORGIA32
  • BROADCOM30
  • UNIVERSITY OF MICHIGAN SYSTEM30
  • UNIVERSITY OF MACAU29

Ieee Journal Of Solid-state Circuits 雜志社通訊方式

《Ieee Journal Of Solid-state Circuits》雜志通訊方式為:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。詳細(xì)征稿細(xì)則請查閱雜志社征稿要求。本站可提供SCI投稿輔導(dǎo)服務(wù),SCI檢索,確保稿件信息安全保密,合乎學(xué)術(shù)規(guī)范,詳情請咨詢客服。

免責(zé)聲明

若用戶需要出版服務(wù),請聯(lián)系出版商:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。

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