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Ieee Transactions On Nuclear Science

Ieee Transactions On Nuclear Science SCIE

IEEE核科學(xué)匯刊雜志

中科院分區(qū):3區(qū) JCR分區(qū):Q1 預(yù)計(jì)審稿周期: 約3.0個(gè)月

《Ieee Transactions On Nuclear Science》是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版的工程技術(shù)國(guó)際刊物,國(guó)際簡(jiǎn)稱(chēng)為IEEE T NUCL SCI,中文名稱(chēng)IEEE核科學(xué)匯刊。該刊創(chuàng)刊于1954年,出版周期為Bimonthly。 《Ieee Transactions On Nuclear Science》2023年影響因子為1.9,被收錄于國(guó)際知名權(quán)威數(shù)據(jù)庫(kù)SCIE。

ISSN:0018-9499
研究方向:工程技術(shù)-工程:電子與電氣
是否預(yù)警:否
E-ISSN:1558-1578
出版地區(qū):UNITED STATES
Gold OA文章占比:16.44%
語(yǔ)言:English
是否OA:未開(kāi)放
OA被引用占比:0
出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版周期:Bimonthly
影響因子:1.9
創(chuàng)刊時(shí)間:1954
年發(fā)文量:330
雜志簡(jiǎn)介 中科院分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 發(fā)文統(tǒng)計(jì) 通訊方式 相關(guān)雜志 期刊導(dǎo)航

Ieee Transactions On Nuclear Science 雜志簡(jiǎn)介

《Ieee Transactions On Nuclear Science》重點(diǎn)專(zhuān)注發(fā)布工程技術(shù)-工程:電子與電氣領(lǐng)域的新研究,旨在促進(jìn)和傳播該領(lǐng)域相關(guān)的新技術(shù)和新知識(shí)。鼓勵(lì)該領(lǐng)域研究者詳細(xì)地發(fā)表他們的高質(zhì)量實(shí)驗(yàn)研究和理論結(jié)果。該雜志創(chuàng)刊至今,在工程技術(shù)-工程:電子與電氣領(lǐng)域,有較高影響力,對(duì)來(lái)稿文章質(zhì)量要求較高,稿件投稿過(guò)審難度較大。歡迎廣大同領(lǐng)域研究者投稿該雜志。

Ieee Transactions On Nuclear Science 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)
中科院SCI期刊分區(qū)(2023年12月升級(jí)版)
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學(xué)技術(shù) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū) 3區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2022年12月升級(jí)版)
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學(xué)技術(shù) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 1區(qū) 3區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月舊的升級(jí)版)
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學(xué)技術(shù) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū) 3區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月基礎(chǔ)版)
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學(xué)技術(shù) 4區(qū) 3區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月升級(jí)版)
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學(xué)技術(shù) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū) 3區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2020年12月舊的升級(jí)版)
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學(xué)技術(shù) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 1區(qū) 3區(qū)
中科院分區(qū)趨勢(shì)圖
影響因子趨勢(shì)圖

中科院JCR分區(qū):中科院JCR期刊分區(qū)(又稱(chēng)分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))是中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果,是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個(gè)重要指標(biāo),一般而言,發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文,通常被認(rèn)為是該學(xué)科領(lǐng)域的比較重要的成果。

影響因子:是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報(bào)告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項(xiàng)數(shù)據(jù),現(xiàn)已成為國(guó)際上通用的期刊評(píng)價(jià)指標(biāo),不僅是一種測(cè)度期刊有用性和顯示度的指標(biāo),而且也是測(cè)度期刊的學(xué)術(shù)水平,乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。

Ieee Transactions On Nuclear Science 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫(kù)(2023-2024年最新版)
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 211 / 352

40.2%

學(xué)科:NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY SCIE Q1 10 / 40

76.3%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 149 / 354

58.05%

學(xué)科:NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY SCIE Q2 13 / 40

68.75%

Ieee Transactions On Nuclear Science CiteScore 評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)(2024年最新版)

  • CiteScore:3.7
  • SJR:0.537
  • SNIP:1.339

CiteScore 排名

學(xué)科類(lèi)別 分區(qū) 排名 百分位
大類(lèi):Energy 小類(lèi):Nuclear Energy and Engineering Q2 23 / 77

70%

大類(lèi):Energy 小類(lèi):Nuclear and High Energy Physics Q2 31 / 87

64%

大類(lèi):Energy 小類(lèi):Electrical and Electronic Engineering Q2 361 / 797

54%

CiteScore趨勢(shì)圖
年發(fā)文量趨勢(shì)圖

CiteScore:是由Elsevier2016年發(fā)布的一個(gè)評(píng)價(jià)學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的指標(biāo),該指標(biāo)是指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScore和影響因子的作用是一樣的,都是可以體現(xiàn)期刊質(zhì)量的重要指標(biāo),給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Ieee Transactions On Nuclear Science 雜志發(fā)文統(tǒng)計(jì)

文章名稱(chēng)引用次數(shù)

  • Needs, Trends, and Advances in Inorganic Scintillators53
  • Evolution of Total Ionizing Dose Effects in MOS Devices With Moore's Law Scaling15
  • Contribution of Thermal Neutrons to Soft Error Rate12
  • Displacement Damage in Silicon Detectors for High Energy Physics11
  • Improvement of the Time Resolution of Radiation Detectors Based on Gd3Al2Ga3O12 Scintillators With SiPM Readout11
  • Influence of LDD Spacers and H+ Transport on the Total-Ionizing-Dose Response of 65-nm MOSFETs Irradiated to Ultrahigh Doses9
  • LHC and HL-LHC: Present and Future Radiation Environment in the High-Luminosity Collision Points and RHA Implications9
  • Thin Silicon Microdosimeter Utilizing 3-D MEMS Fabrication Technology: Charge Collection Study and Its Application in Mixed Radiation Fields9
  • Luminescence and Scintillation Properties of Novel Disodium Dimolybdate (Na2Mo2O7) Single Crystal9
  • Single-Event Burnout Mechanisms in SiC Power MOSFETs8

國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量

  • USA331
  • CHINA MAINLAND200
  • France185
  • Italy105
  • Switzerland95
  • Japan78
  • GERMANY (FED REP GER)53
  • South Korea44
  • England41
  • Russia37

機(jī)構(gòu)發(fā)文發(fā)文量

  • UNITED STATES DEPARTMENT OF ENERGY (DOE)105
  • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES100
  • VANDERBILT UNIVERSITY93
  • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)80
  • EUROPEAN ORGANIZATION FOR NUCLEAR RESEARCH (CERN)76
  • CEA73
  • ISTITUTO NAZIONALE DI FISICA NUCLEARE (INFN)58
  • UNIVERSITE DE TOULOUSE34
  • UNIVERSITE DE MONTPELLIER31
  • UNITED STATES DEPARTMENT OF DEFENSE29

Ieee Transactions On Nuclear Science 雜志社通訊方式

《Ieee Transactions On Nuclear Science》雜志通訊方式為:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。詳細(xì)征稿細(xì)則請(qǐng)查閱雜志社征稿要求。本站可提供SCI投稿輔導(dǎo)服務(wù),SCI檢索,確保稿件信息安全保密,合乎學(xué)術(shù)規(guī)范,詳情請(qǐng)咨詢(xún)客服。

SCI期刊分類(lèi)導(dǎo)航

免責(zé)聲明

若用戶(hù)需要出版服務(wù),請(qǐng)聯(lián)系出版商:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。

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