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Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics SCIE

納米電子學(xué)與光電子學(xué)雜志雜志

中科院分區(qū):4區(qū) JCR分區(qū):Q4 預(yù)計(jì)審稿周期: 約1.0個(gè)月

《Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics》是一本由AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS出版商出版的工程技術(shù)國際刊物,國際簡稱為J NANOELECTRON OPTOE,中文名稱納米電子學(xué)與光電子學(xué)雜志。該刊創(chuàng)刊于2006年,出版周期為Tri-annual。 《Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics》2023年影響因子為0.6,被收錄于國際知名權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE。

ISSN:1555-130X
研究方向:工程:電子與電氣-工程技術(shù)
是否預(yù)警:是
E-ISSN:1555-1318
出版地區(qū):UNITED STATES
Gold OA文章占比:0.00%
語言:English
是否OA:未開放
OA被引用占比:0
出版商:AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS
出版周期:Tri-annual
影響因子:0.6
創(chuàng)刊時(shí)間:2006
年發(fā)文量:179
雜志簡介 中科院分區(qū) JCR分區(qū) 發(fā)文統(tǒng)計(jì) 通訊方式 相關(guān)雜志 期刊導(dǎo)航

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics 雜志簡介

《Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics》重點(diǎn)專注發(fā)布工程:電子與電氣-工程技術(shù)領(lǐng)域的新研究,旨在促進(jìn)和傳播該領(lǐng)域相關(guān)的新技術(shù)和新知識(shí)。鼓勵(lì)該領(lǐng)域研究者詳細(xì)地發(fā)表他們的高質(zhì)量實(shí)驗(yàn)研究和理論結(jié)果。該雜志創(chuàng)刊至今,在工程:電子與電氣-工程技術(shù)領(lǐng)域,有較高影響力,對(duì)來稿文章質(zhì)量要求較高,稿件投稿過審難度較大。歡迎廣大同領(lǐng)域研究者投稿該雜志。

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)
中科院SCI期刊分區(qū)(2023年12月升級(jí)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2022年12月升級(jí)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月舊的升級(jí)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月基礎(chǔ)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月升級(jí)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2020年12月舊的升級(jí)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū)趨勢圖
Created with Highcharts 4.2.6大類分區(qū)中科院SCI分區(qū)2012年2013年2014年2015年2016年2017年2018年2019年2020年2021年2022年012345
影響因子趨勢圖
Created with Highcharts 4.2.6IF值(影響因子)IF值(影響因子)2015年2016年2017年2018年2019年2020年2021年2022年2023年00.250.50.7511.25

中科院JCR分區(qū):中科院JCR期刊分區(qū)(又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))是中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果,是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個(gè)重要指標(biāo),一般而言,發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文,通常被認(rèn)為是該學(xué)科領(lǐng)域的比較重要的成果。

影響因子:是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報(bào)告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項(xiàng)數(shù)據(jù),現(xiàn)已成為國際上通用的期刊評(píng)價(jià)指標(biāo),不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標(biāo),而且也是測度期刊的學(xué)術(shù)水平,乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫(2023-2024年最新版)
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 319 / 352

9.5%

學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 134 / 140

4.6%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 171 / 179

4.7%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 336 / 354

5.23%

學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 133 / 140

5.36%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 175 / 179

2.51%

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics 雜志發(fā)文統(tǒng)計(jì)

文章名稱引用次數(shù)

  • Investigation of Ta/NII-WO3/FTO Structures as a Semiconductor for the Future of Nanodevices10
  • A One Pot Room Temperature Synthesis of Pure and Zn Doped PbI2 Nanostructures and Their Structural, Morphological, Optical, Dielectric and Radiation Studies9
  • Electrical Sensor Based on Hollow ZnO Spheres for Hydrazine Detection8
  • Iron Oxide (Fe3O4)-Graphene Oxide (GO) Nanocomposites Based Li-Ion Batteries: Experimental and Theoretical Studies8
  • Hydrothermally Grown Copper-Doped ZnO Nanorods on Flexible Substrate7
  • High UV-to-Visible Rejection Ratio and Low Cost UV Photodetector Based on Co-Doped ZnO Nanorods Grown on Polyethylene Terephthalate Substrate6
  • Effect of the Electrolyte on Capacitive Behavior of Supercapacitor Electrodes6
  • On the Frequency-Voltage Dependence Profile of Complex Dielectric, Complex Electric Modulus and Electrical Conductivity in Al/ZnO/p-GaAs Type Structure at Room Temperature6
  • Comparative Analysis Among Single Material Gate, Double Material Gate, and Triple Material Gate FinFETs: RF/Analog and Digital Inverter Performance6
  • Flexible Sensors Based on Ag/Polyimide Substrates and Pd-ZnO Sensing Films6

國家/地區(qū)發(fā)文量

  • CHINA MAINLAND322
  • India133
  • South Korea50
  • Saudi Arabia44
  • Iran41
  • Egypt31
  • Pakistan30
  • Malaysia27
  • Turkey26
  • Algeria24

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics 雜志社通訊方式

《Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics》雜志通訊方式為:AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS, 25650 NORTH LEWIS WAY, STEVENSON RANCH, USA, CA, 91381-1439。詳細(xì)征稿細(xì)則請(qǐng)查閱雜志社征稿要求。本站可提供SCI投稿輔導(dǎo)服務(wù),SCI檢索,確保稿件信息安全保密,合乎學(xué)術(shù)規(guī)范,詳情請(qǐng)咨詢客服。

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