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Opto-electronic Advances

Opto-electronic Advances SCIE

光電進(jìn)展雜志

中科院分區(qū):1區(qū) JCR分區(qū):Q1 預(yù)計審稿周期: 26 Weeks

《Opto-electronic Advances》是一本由CHINESE ACAD SCI, INST OPTICS & ELECTRONICS, ED OFF OPTO-ELECTRONIC ADV出版商出版的物理與天體物理國際刊物,國際簡稱為OPTO-ELECTRON ADV,中文名稱光電進(jìn)展。出版周期為12 issues/year。 《Opto-electronic Advances》2023年影響因子為15.3,被收錄于國際知名權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE。

ISSN:2096-4579
研究方向:OPTICS
是否預(yù)警:否
E-ISSN:2096-4579
出版地區(qū):PEOPLES R CHINA
Gold OA文章占比:98.62%
語言:English
是否OA:開放
OA被引用占比:0
出版商:CHINESE ACAD SCI, INST OPTICS & ELECTRONICS, ED OFF OPTO-ELECTRONIC ADV
出版周期:12 issues/year
影響因子:15.3
年發(fā)文量:50
雜志簡介 中科院分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 發(fā)文統(tǒng)計 通訊方式 相關(guān)雜志 期刊導(dǎo)航

Opto-electronic Advances 雜志簡介

《Opto-electronic Advances》重點(diǎn)專注發(fā)布OPTICS領(lǐng)域的新研究,旨在促進(jìn)和傳播該領(lǐng)域相關(guān)的新技術(shù)和新知識。鼓勵該領(lǐng)域研究者詳細(xì)地發(fā)表他們的高質(zhì)量實驗研究和理論結(jié)果。根據(jù)網(wǎng)友分享的投稿經(jīng)驗,平均審稿速度為 26 Weeks 。該雜志創(chuàng)刊至今,在OPTICS領(lǐng)域,影響力非凡,對來稿文章質(zhì)量要求很高,稿件投稿過審難度很大,刊登文章的學(xué)術(shù)水平和編輯質(zhì)量在同類雜志中均名列前茅。如果你想在該雜志上發(fā)表論文,你可以向編輯部提交文章,但文章必須具有重要意義并代表該領(lǐng)域?qū)I(yè)的發(fā)展。我們歡迎廣大同領(lǐng)域的研究者提交投稿。

Opto-electronic Advances 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)
中科院SCI期刊分區(qū)(2023年12月升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 1區(qū) OPTICS 光學(xué) 1區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2022年12月升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 1區(qū) OPTICS 光學(xué) 1區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月舊的升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 1區(qū) OPTICS 光學(xué) 1區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月基礎(chǔ)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理 1區(qū) OPTICS 光學(xué) 1區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 1區(qū) OPTICS 光學(xué) 1區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2020年12月舊的升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 4區(qū) OPTICS 光學(xué) 4區(qū)
中科院分區(qū)趨勢圖
Created with Highcharts 4.2.6大類分區(qū)中科院SCI分區(qū)2012年2013年2014年2015年2016年2017年2018年2019年2020年2021年2022年012345
影響因子趨勢圖
Created with Highcharts 4.2.6IF值(影響因子)IF值(影響因子)2015年2016年2017年2018年2019年2020年2021年2022年2023年02.557.51012.51517.5

中科院JCR分區(qū):中科院JCR期刊分區(qū)(又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))是中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果,是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個重要指標(biāo),一般而言,發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文,通常被認(rèn)為是該學(xué)科領(lǐng)域的比較重要的成果。

影響因子:是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項數(shù)據(jù),現(xiàn)已成為國際上通用的期刊評價指標(biāo),不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標(biāo),而且也是測度期刊的學(xué)術(shù)水平,乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。

Opto-electronic Advances 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫(2023-2024年最新版)
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:OPTICS SCIE Q1 7 / 119

94.5%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:OPTICS SCIE Q1 5 / 120

96.25%

Opto-electronic Advances CiteScore 評價數(shù)據(jù)(2024年最新版)

  • CiteScore:19.3
  • SJR:3.374
  • SNIP:3.517

CiteScore 排名

學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q1 22 / 797

97%

大類:Engineering 小類:Surfaces, Coatings and Films Q1 5 / 132

96%

大類:Engineering 小類:Atomic and Molecular Physics, and Optics Q1 10 / 224

95%

大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q1 14 / 284

95%

CiteScore趨勢圖
Created with Highcharts 4.2.6CiteScoreCiteScore2011年2012年2013年2014年2015年2016年2017年2018年2019年2020年2021年2022年2023年0510152025
年發(fā)文量趨勢圖

CiteScore:是由Elsevier2016年發(fā)布的一個評價學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的指標(biāo),該指標(biāo)是指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScore和影響因子的作用是一樣的,都是可以體現(xiàn)期刊質(zhì)量的重要指標(biāo),給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Opto-electronic Advances 雜志發(fā)文統(tǒng)計

文章名稱引用次數(shù)

  • Tunable and reconfigurable metasurfaces and metadevices67
  • All-metallic wide-angle metasurfaces for multifunctional polarization manipulation22
  • Enhancement of laser ablation via interacting spatial double-pulse effect21
  • An accurate design of graphene oxide ultrathin flat lens based on Rayleigh-Sommerfeld theory19
  • Additive manufacturing frontier: 3D printing electronics18
  • Nonlinear frequency conversion in optical nanoantennas and metasurfaces: materials evolution and fabrication18
  • Fabrication of three-dimensional proteinaceous micro- and nano-structures by femtosecond laser cross-linking16
  • Surface plasmon enhanced infrared photodetection14
  • Hierarchical microstructures with high spatial frequency laser induced periodic surface structures possessing different orientations created by femtosecond laser ablation of silicon in liquids13
  • Perfect electromagnetic and sound absorption via subwavelength holes array12

國家/地區(qū)發(fā)文量

  • CHINA MAINLAND60
  • Singapore10
  • Japan9
  • Australia6
  • USA4
  • GERMANY (FED REP GER)3
  • Greece3
  • England2
  • France2
  • BELARUS1

Opto-electronic Advances 雜志社通訊方式

《Opto-electronic Advances》雜志通訊方式為:NO 1 GUANGDIAN AVENUE, CHENGDU, PEOPLES R CHINA, 610209。詳細(xì)征稿細(xì)則請查閱雜志社征稿要求。本站可提供SCI投稿輔導(dǎo)服務(wù),SCI檢索,確保稿件信息安全保密,合乎學(xué)術(shù)規(guī)范,詳情請咨詢客服。

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