亚洲福利中文av在线,国产伦精品一区二区三区欧,精品久久国产精品91

雜志簡(jiǎn)介中科院分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 發(fā)文統(tǒng)計(jì) 通訊方式相關(guān)雜志期刊導(dǎo)航

Ieee Journal Of The Electron Devices Society 雜志簡(jiǎn)介

《Ieee Journal Of The Electron Devices Society》重點(diǎn)專(zhuān)注發(fā)布Biochemistry, Genetics and Molecular Biology-Biotechnology領(lǐng)域的新研究，旨在促進(jìn)和傳播該領(lǐng)域相關(guān)的新技術(shù)和新知識(shí)。鼓勵(lì)該領(lǐng)域研究者詳細(xì)地發(fā)表他們的高質(zhì)量實(shí)驗(yàn)研究和理論結(jié)果。該雜志創(chuàng)刊至今，在Biochemistry, Genetics and Molecular Biology-Biotechnology領(lǐng)域，有較高影響力，對(duì)來(lái)稿文章質(zhì)量要求較高，稿件投稿過(guò)審難度較大。歡迎廣大同領(lǐng)域研究者投稿該雜志。

Ieee Journal Of The Electron Devices Society 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)

中科院SCI期刊分區(qū)（2023年12月升級(jí)版）

大類(lèi)學(xué)科	分區(qū)	小類(lèi)學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	3區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	4區(qū)	否	否

中科院SCI期刊分區(qū)（2022年12月升級(jí)版）

大類(lèi)學(xué)科	分區(qū)	小類(lèi)學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	3區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	3區(qū)	否	否

中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月舊的升級(jí)版）

大類(lèi)學(xué)科	分區(qū)	小類(lèi)學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	3區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	3區(qū)	否	否

中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月基礎(chǔ)版）

大類(lèi)學(xué)科	分區(qū)	小類(lèi)學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	4區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	4區(qū)	否	否

中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月升級(jí)版）

大類(lèi)學(xué)科	分區(qū)	小類(lèi)學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	3區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	3區(qū)	否	否

中科院SCI期刊分區(qū)（2020年12月舊的升級(jí)版）

大類(lèi)學(xué)科	分區(qū)	小類(lèi)學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	3區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	3區(qū)	否	否

中科院分區(qū)趨勢(shì)圖

影響因子趨勢(shì)圖

中科院JCR分區(qū)：中科院JCR期刊分區(qū)（又稱(chēng)分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù)）是中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果，是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個(gè)重要指標(biāo)，一般而言，發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文，通常被認(rèn)為是該學(xué)科領(lǐng)域的比較重要的成果。

影響因子：是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報(bào)告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項(xiàng)數(shù)據(jù)，現(xiàn)已成為國(guó)際上通用的期刊評(píng)價(jià)指標(biāo)，不僅是一種測(cè)度期刊有用性和顯示度的指標(biāo)，而且也是測(cè)度期刊的學(xué)術(shù)水平，乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。

Ieee Journal Of The Electron Devices Society 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫(kù)（2023-2024年最新版）

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	202 / 352	42.8%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	179 / 354	49.58%

Ieee Journal Of The Electron Devices Society CiteScore 評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)（2024年最新版）

CiteScore：5.2
SJR：0.505
SNIP：0.955

CiteScore 排名

學(xué)科類(lèi)別	分區(qū)	排名	百分位
大類(lèi)：Materials Science 小類(lèi)：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q2	90 / 284	68%
大類(lèi)：Materials Science 小類(lèi)：Electrical and Electronic Engineering	Q2	253 / 797	68%
大類(lèi)：Materials Science 小類(lèi)：Biotechnology	Q2	139 / 311	55%

CiteScore趨勢(shì)圖

年發(fā)文量趨勢(shì)圖

CiteScore：是由Elsevier2016年發(fā)布的一個(gè)評(píng)價(jià)學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的指標(biāo)，該指標(biāo)是指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScore和影響因子的作用是一樣的，都是可以體現(xiàn)期刊質(zhì)量的重要指標(biāo)，給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Ieee Journal Of The Electron Devices Society 雜志發(fā)文統(tǒng)計(jì)

文章名稱(chēng)引用次數(shù)
FinFET Versus Gate-All-Around Nanowire FET: Performance, Scaling, and Variability21
Characterization and Compact Modeling of Nanometer CMOS Transistors at Deep-Cryogenic Temperatures19
Characterization and Modeling of 28-nm Bulk CMOS Technology Down to 4.2 K14
Cryogenic Temperature Characterization of a 28-nm FD-SOI Dedicated Structure for Advanced CMOS and Quantum Technologies Co-Integration11
Hysteresis Reduction in Negative Capacitance Ge PFETs Enabled by Modulating Ferroelectric Properties in HfZrOx11
Tunneling Transistors Based on MoS2/MoTe2 Van der Waals Heterostructures11
Direct Correlation of Ferroelectric Properties and Memory Characteristics in Ferroelectric Tunnel Junctions10
Ferroelectric HfO2 Tunnel Junction Memory With High TER and Multi-Level Operation Featuring Metal Replacement Process10
Development and Fabrication of AlGaInP-Based Flip-Chip Micro-LEDs10
Experimental Investigations of State-of-the-Art 650-V Class Power MOSFETs for Cryogenic Power Conversion at 77K10
國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量
CHINA MAINLAND168
USA99
Taiwan98
South Korea74
Japan61
India40
France29
GERMANY (FED REP GER)27
Switzerland23
Belgium20
機(jī)構(gòu)發(fā)文發(fā)文量
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY35
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM)22
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES20
ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE18
NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY17
UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHNOLOGY OF CHINA17
NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY15
SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU)15
SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY15
PEKING UNIVERSITY14

Ieee Journal Of The Electron Devices Society 雜志社通訊方式

《Ieee Journal Of The Electron Devices Society》雜志通訊方式為：445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。詳細(xì)征稿細(xì)則請(qǐng)查閱雜志社征稿要求。本站可提供SCI投稿輔導(dǎo)服務(wù)，SCI檢索，確保稿件信息安全保密，合乎學(xué)術(shù)規(guī)范，詳情請(qǐng)咨詢(xún)客服。